市场分析机构IDC预计，面孔AR/VR头显的发货量将从今年的1030万台增加到2020年的7600万台，这意味着五年的复合年增长率（CAGR）为108.3%。

请记（g）NEXAFS测量的示意图。些山（d-f）通过刮涂法形成Dif-TES-ADT薄膜的示意图。

然而，东人在实际中，薄膜的形貌和结晶度，特别是晶界和晶体取向的不均匀会影响OFETs的迁移率。其次，面孔以拖涂方式引导晶体连续生长，面孔避免了直接将外力施加在有机溶液上，使得溶液三相接触线保持不动，稳定了流体内部传质过程，确保了薄膜中晶粒取向的一致性。文献链接：请记Water-SurfaceDragCoating:ANewRouteTowardHigh-QualityConjugatedSmall-MoleculeThinFilmswithEnhancedChargeTransportProperties（Adv.Mater.,2020,DOI:10.1002/adma.202005915）通讯作者简介揭建胜，请记苏州大学功能纳米与软物质研究院（FUNSOM）教授。

作者以2,8-二氟-5,11-双（三乙基硅烷基乙炔基）蒽噻吩（Dif-TES-ADT）为例，些山通过WSDC策略获得的薄膜载流子迁移率比通过常规溶液涂布法制备的薄膜载流子迁移率显着提高了4.7倍。东人（f）Dif-TES-ADT薄膜的AFM图像。

（d-e）Dif-TES-ADT薄膜中晶域的TEM图像，面孔以及不同晶域的SAED图案。

【背景介绍】有机场效应晶体管（OFETs）是下一代低成本、请记柔性和可穿戴电子器件的核心单元。当电压从3.5V增加到4.0V时，些山Ni的K边谱向高能区转移。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，东人投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。相反，面孔在Na插入过程中，Mn的K边缘谱变化不明显。

这种变化与在O3-NaxMn1/3Fe2/3O2中观察到的不同氧化状态的Fe行为相似，请记与作者的假设一致，即Fe3+/Fe4+反应发生在电池充电至4.3V时。些山作者通过原位X射线衍射(XRD)和原位透X射线显微镜(TXM)表征NaNi1/3Fe1/3Mn1/3O2电池循环期间和充电状态电子显微镜下的样品结构。